Міністерство освіти і науки України Дрогобицький механіко-технологічний коледж Лабораторія основ електроніки і мікроелектроніки Затверджую: Заст. директора з навчальної роботи _______ Ренжин П.М. “___”____2009р. Лабораторна робота № 5 Дослідження транзистора в схемі зі спільною базою  Дрогобич 2009 р.  1.Мета Роботи: Вивчення властивостей біполярного транзистора, ввімкненого по схемі зі спільною базою, шляхом зняття його вхідних вихідних характеристик. 2. Схема Макета:
Вольтметр(V1) – Ц20, 1,5 В, клас точності 2 або М42100, 1,5 В, клас точності 1,5; Вольтметр(V2) – Ц20, 6 В, клас точності 2; Міліамперметр (mA1) – Ц20, 30 мА, клас точності 2; Міліамперметр (mA2) – Ц20, 30 мА, клас точності 2; 3. Теоритичні Основи: Транзистор можна ввімкнути в схему трьома способами : за схемою зі спільною базою за схемою зі спільною базою за схемою зі спільним емітером ; за схемою зі спільним колектором. Різні схеми ввімкнення транзисторів мають різні властивості. У схемі зі спільною базою спілною точкою вхідного і вихідного кіл є база. Підсилювальний каскад, що його складено за схемою зі спільною базою, має вхідний малий опір (одиниці – десятки Ом) і значний віхідний опір (сотні кілоом). Малий вхідний опір каскаду зі спільною базою є його істотним недоліком. У багатокаскадних схемах цей опір шунтує опір навантаження попереднього каскаду і різко знижує виділення цього каскаду за напругою і потужністю. Схема зі спільною базою дає виділення за напругою до 100 – 200 і приблизно таке саме виділення за потужністю, оскільки коефіціент виділення за струмом у цьому випадку дещо менший від одиниці. Для схеми зі спільною базою вхідна характеристика є залежностю струму емітера Iе від напруги між емітером і базою Uкб при незмінній величини напруги між колктором і базою Uкб Iе = ƒ (Uеб) при Uкб = const. Типові вхідні статичні характеристики транзистора для схеми зі спільною базою наведено на рис.1. З рисунка видно, що вхідні характеристики аналогічні вольтамперній характеристиці електронно – діркового переходу для прямого струму, причому зміна напруги Uкб мало впливає на струм емітера. Це починається тим, що електричне поле, створене напругою Uкб у схемі зі спільною базою майже повністю зосереджене в колекторному переході і виявляє незначний вплив на проходження зарядів через емітерний перехід.
Рис.1 Рис.2 Вхідні характеристики транзистора для схеми зі спільною базою зображають залежність струму колектора Iк від напруги між колектором і базою Uкб при сталих значенях емітерного струму Iе Iк = ƒ ( Uкб ) при Iе – const. На рис.2 зображеро вихідні статиччні характеристики транзистора для схеми зі спільною базою. З рисунка видно, що при нормальній робочій полярності напргуги Uкб, коли колекторний перехід перебуває під зворотньою напругою, вихідні характеристики є прямими лініями, розташованими майже паралельно осі абсцис. Це пояснюється тим, що проходять з емітера через базу до колектора. Тому величину колекторного струму визначає величина струму емітера, що незначною мірою залежить від напруги Uкб, прикладеної до колекторного переходу. З рисунка видно, що навіть при Uкб = 0 струм колектора може мати значну величину залежно від струму емвтера. При Iе = 0 характеристика виходить з початку координат, а потім проходить на великій висоті майже паралельно осі абсцис. Ця характеристика відповідає звичйній характеристиці зворотного струму електронно – діркового переходу. З рис.2 видно також, що при зміні полярності напруги Uкб струм Iк різко зменшується і досягає нуля при значенях напруги Uкб близько десятих часток вольта. У цьому разі колекторний перехід перебває пі...